PSM創(chuàng)建和PSM核查

Alt-PSM技術(shù)更嚴(yán)格地控制芯片性能并提高良品率

產(chǎn)品概述

亞波長(zhǎng)間隙是指IC特征尺寸與特征制圖用光波長(zhǎng)之間的間隙，此間隙最初在0.18微米制程節(jié)點(diǎn)出現(xiàn)，并在0.13μ處拓寬，使先進(jìn)的掩膜綜合工藝成為必要。在0.13μ及以下尺寸，光學(xué)畸變以及其它光蝕刻效應(yīng)導(dǎo)致較大的特征發(fā)生變形，使較小的特征融合消失。這種變動(dòng)可能明顯降低性能或?qū)е铝计仿蕮p失。Synopsys Mask Synthesis產(chǎn)品組合成為這一問題的解決方案。掩膜綜合包括了分辨率增強(qiáng)工藝（RFT）的運(yùn)用，例如光學(xué)臨近效應(yīng)修正（OPC）以及相移掩膜（PSM），并能夠制版出比光波長(zhǎng)小得多的特征。

PSM創(chuàng)建的特色

• 完整的經(jīng)生產(chǎn)驗(yàn)證的PSM解決方案，能夠快速對(duì)較小尺寸的門電路和其它結(jié)構(gòu)進(jìn)行制版，并最大程度地減少變動(dòng)

• 通過先進(jìn)的版圖設(shè)計(jì)層次處理以及分布式處理實(shí)現(xiàn)快速的Alt-PSM設(shè)計(jì)轉(zhuǎn)換

• 通過持續(xù)滿足轉(zhuǎn)換器的最低要求，不會(huì)因完成相染色而導(dǎo)致光蝕刻結(jié)果質(zhì)量（QoR）的下降

• 在必要時(shí)，通過調(diào)整優(yōu)選的轉(zhuǎn)換器幾何圖形，自動(dòng)解決染色沖突

• MRC和注重光蝕刻效果的布局，確保掩膜可制造性

• 集成相移設(shè)計(jì)規(guī)則的核查和糾正

• 可編程程度高的體系架構(gòu)，能夠針對(duì)制造和曝光間校準(zhǔn)誤差，實(shí)現(xiàn)對(duì)用戶特定設(shè)計(jì)規(guī)則的定義

• 可通過保存現(xiàn)有轉(zhuǎn)換器（例如，存儲(chǔ)器核心）支持設(shè)計(jì)復(fù)用